Принцип роботи флеш-пам'яті заснований на зміні та реєстрації електричного заряду в ізольованій області («кишеня») напівпровідникової структури. Читання виконується польовим транзистором, котрого кишеню виконує роль затвора.
Усередині картки Micron (і найімовірніше картки SanDisk) використовується однаковий чіп пам'яті. Це 96-шарова 3D NAND QLC-пам'ять. На одному кристалі такої пам'яті міститься 128 гігабайт даних.
Типова USB флешка, а також більшість типів карт пам'яті та SSD диски, влаштовані наступним чином: на платі є мікроконтролер, який надає інтерфейс флешки, обробляє команди та здійснює операції з пам'яттю; одна чи кілька мікросхем пам'яті; та їх електронне «обв'язування» з пасивних елементів.